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A method for the selective separation of a tinx - layer by mocvd on a semiconductor device

机译：Mocvd在半导体器件上选择性分离锡层的方法。

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Disclosed is a method that comprises selective deposition of TiNx (13) on III-V compound semiconductor material (11). The TiNx can advantageously be used as contact metal. Exemplarily, deposition is by rapid thermal low pressure (RT-LP) MOCVD using dimethylamidotitanium with H2 carrier gas. IMAGE

机译：公开了一种包括在III-V族化合物半导体材料（11）上选择性沉积TiNx（13）的方法。 TiNx可以有利地用作接触金属。示例性地，通过使用二甲基ami钛与H 2载气的快速热低压（RT-LP）MOCVD进行沉积。 <图像>

著录项

公开/公告号DE69222347T2

专利类型
公开/公告日1998-03-26

原文格式PDF
申请/专利权人 AT & T CORP US;
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申请/专利号DE1992622347T
发明设计人 KATZ AVISHAY US;
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申请日1992-04-14
分类号H01L21/285;H01L29/40;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 02:42:53

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