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Flash memory device using an operational circuit for bit-by-bit verifying of programmed data in memory cells and method of programming the same

机译:使用操作电路逐位验证存储单元中已编程数据的闪存设备及其编程方法

摘要

A flash memory cell and technique which preserves reliability but does not decrease the speed of the program operation. The system prevents degradation of reliability of the device due to stress from unnecessary over-writes. An operational circuit controls data on a bit unit preventing unnecessary over-writes generated during verification of the programmed data.
机译:一种保持可靠性但不会降低编程操作速度的闪存单元和技术。该系统可防止由于不必要的覆盖带来的压力而导致设备可靠性下降。运算电路控制位单元上的数据,以防止在验证编程数据期间产生不必要的覆盖。

著录项

  • 公开/公告号US5784317A

    专利类型

  • 公开/公告日1998-07-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO. LTD.;

    申请/专利号US19960773604

  • 发明设计人 CHANG WAN HA;

    申请日1996-12-27

  • 分类号G11C16/06;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 02:39:02

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