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METHOD AND APPARATUS FOR ANALYZING CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, COMPUTER READABLE STORAGE MEDIUM STORING CIRCUIT ANALYSIS PROGRAM, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

机译:半导体集成电路,计算机可读存储介质存储电路分析程序以及半导体集成电路的分析方法和装置

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible to test a threshold voltage of an SOI(silicon on insulator)-MOSFET with a floating body node. ;SOLUTION: A circuit equation solving unit 4A outputs data relating to a threshold voltage of an SOI-MOSFET with a floating body node. The data from the circuit equation solving unit 4A is stored in a memory unit 6. The threshold voltage of the SOI-MOSFET with a floating body node is tested by a floating check unit 7 using the data stored in the memory unit 6.;COPYRIGHT: (C)1999,JPO
机译:解决的问题:为了能够测试带有浮体节点的SOI(绝缘体上硅)-MOSFET的阈值电压。 ;解决方案:电路方程求解单元4A输出与具有浮体节点的SOI-MOSFET的阈值电压有关的数据。来自电路方程求解单元4A的数据存储在存储单元6中。具有浮体节点的SOI-MOSFET的阈值电压由浮置检查单元7使用存储在存储单元6中的数据进行测试。 :(C)1999,日本特许厅

著录项

  • 公开/公告号JPH11274511A

    专利类型

  • 公开/公告日1999-10-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MITSUBISHI ELECTRIC CORP;

    申请/专利号JP19980079107

  • 发明设计人 TANIZAWA MOTOAKI;

    申请日1998-03-26

  • 分类号H01L29/786;G06F17/50;H01L21/82;H01L29/00;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 02:33:52

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