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C-AXIS PEROVSKITE THIN FILMS GROWN ON SILICON DIOXIDE

机译:在二氧化硅上生长的C轴钙硅钙石薄膜

摘要

A method and resulting structure for growing a crystalline perovskite film (16) on a silicon dioxide layer (12) by means of anintermediate template layer (14) of a c-axis oriented layered perovskite, such as bismuth titanate. The perovskite film can be ferroelectriclead-lanthanum zirconate titanate or conductive cubic metal oxides used as electrodes for the ferroelectric.
机译:通过二氧化硅膜在二氧化硅层(12)上生长结晶钙钛矿膜(16)的方法和所得结构c轴取向层状钙钛矿的中间模板层(14),例如钛酸铋。钙钛矿薄膜可以是铁电的锆钛酸铅镧镧或导电的立方金属氧化物,用作铁电体的电极。

著录项

  • 公开/公告号CA2151063C

    专利类型

  • 公开/公告日1999-03-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 BELL COMMUNICATIONS RESEARCH INC.;

    申请/专利号CA19932151063

  • 发明设计人 RAMESH RAMAMOORTHY;

    申请日1993-10-28

  • 分类号H01L49/02;C30B29/32;G11B9/02;H01G7/00;

  • 国家 CA

  • 入库时间 2022-08-22 02:24:09

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