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C-AXIS PEROVSKITE THIN FILMS GROWN ON SILICON DIOXIDE

机译:在二氧化硅上生长的C轴钙硅钙石薄膜

摘要

A method and resulting structure for growing a crystalline perovskite film (16) on a silicon dioxide layer (12) by means of an intermediate template layer (14) of a c-axis oriented layered perovskite, such as bismuth titanate. The perovskite film can be ferroelectric lead-lanthanum zirconate titanate or conductive cubic metal oxides used as electrodes for the ferroelectric.
机译:一种方法和所得结构,用于通过c轴取向层状钙钛矿例如钛酸铋的中间模板层(14)在二氧化硅层(12)上生长结晶钙钛矿膜(16)。钙钛矿膜可以是铁电锆钛酸铅镧钛酸盐或用作铁电电极的导电立方金属氧化物。

著录项

  • 公开/公告号EP0673311B1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-06-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TELCORDIA TECH INC;

    申请/专利号EP19940900439

  • 发明设计人 RAMESH RAMAMOORTHY;

    申请日1993-10-28

  • 分类号H01L21/316;H01L21/3205;H01L27/115;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 00:36:40

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