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Electron Beam Lithography Method Using Optical Enhanced Electron Emission

机译:利用光学增强电子发射的电子束光刻方法

摘要

Disclosed is an electron beam lithography method using optically enhanced electron emission which emits an electron beam while irradiating light onto a field emitter. This method is an electron beam lithography method using optical enhancement electron emission in which a photoresist film laminated on a substrate is exposed using an electron beam emitted from a field emitter, wherein the field emitter is irradiated with light to turn on the turn-on voltage of the field emitter. Lowering and increasing the current density is characterized in that it further comprises.
机译:公开了一种使用光学增强的电子发射的电子束光刻方法,其在将光照射到场发射器上的同时发射电子束。该方法是使用光增强电子发射的电子束光刻方法,其中使用从场发射器发射的电子束来曝光层压在基板上的光致抗蚀剂膜,其中,用光照射场发射器以开启导通电压。场发射器的降低和增加电流密度的特征在于它进一步包括。

著录项

  • 公开/公告号KR19990025525A

    专利类型

  • 公开/公告日1999-04-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 윤종용;

    申请/专利号KR19970047190

  • 发明设计人 김성훈;이내성;한인택;

    申请日1997-09-12

  • 分类号H01L21/027;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 02:17:29

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