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机译:快闪吗? 2个仅包含多晶硅层的毕业舞会电池
公开/公告号DE69322643T2
专利类型
公开/公告日1999-05-20
原文格式PDF
申请/专利权人 LATTICE SEMICONDUCTOR CORP. HILLSBORO OREG. 97124-6421 US;
申请/专利号DE1993622643T
发明设计人 WANG PATRICK C. CUPERTINO CA 95014 US;
申请日1993-06-18
分类号H01L29/78;H01L29/04;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 02:11:26
机译: 具有单个多晶硅层的闪存-eeprom-电池及其制备方法
机译: 单多晶硅层闪存E.sup.2 PROM单元
机译: 单层多晶硅闪存E?2胎膜早破细胞