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SINGLE POLYSILICON LAYER FLASH E?2 PROM CELL

机译:单层多晶硅闪存E?2胎膜早破细胞

摘要

A flash E2PROM cell (130) includes a single polysilicon layer part (132) of which makes up the floating gate (160) of a transistor of the cell, part of which makes up an electrode of a capacitor (168) coupled to the floating gate, and part of which makes up the gate (156) of a second transistor of the cell.
机译:闪存E2PROM单元(130)包括单个多晶硅层部分(132),该部分构成了该单元晶体管的浮栅(160),其一部分构成了与浮置耦合的电容器(168)的电极栅极,其一部分构成单元的第二晶体管的栅极(156)。

著录项

  • 公开/公告号EP0646288B1

    专利类型

  • 公开/公告日1998-12-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LATTICE SEMICONDUCTOR CORP;

    申请/专利号EP19930916517

  • 发明设计人 WANG PATRICK C.;

    申请日1993-06-18

  • 分类号H01L29/78;H01L29/04;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 02:21:16

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