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Phase shifting mask and process for forming comprising a phase shift layer for shifting two wavelengths of light

机译:相移掩模及其形成方法,其包括用于使两个波长的光移位的相移层

摘要

A phase shifting mask can be used with exposure lights of two different wavelengths. The depth of the phase shifting layer is calculated and fabricated such that it shifts a first exposure light about 180° and a second exposure light about 180°.
机译:相移掩模可以与两种不同波长的曝光光一起使用。计算和制造相移层的深度,使得其使第一曝光光偏移约180°,并且使第二曝光光偏移约180°。

著录项

  • 公开/公告号US5876878A

    专利类型

  • 公开/公告日1999-03-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;

    申请/专利号US19960679835

  • 发明设计人 J. BRETT ROLFSON;CHRISTOPHE PIERRAT;

    申请日1996-07-15

  • 分类号G03F9/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 02:08:34

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