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recovery of the damage of the oxide field caused by high energy ion implantation processes and procedures

机译:恢复由高能离子注入工艺和程序引起的氧化场损伤

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号ITVA980012A1

    专利类型

  • 公开/公告日1999-12-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 STMICROELECTRONICS S.R.L.;

    申请/专利号IT1998VA00012

  • 发明设计人 LOSAVIO ALDO;

    申请日1998-06-05

  • 分类号H01L21/762;

  • 国家 IT

  • 入库时间 2022-08-22 01:54:02

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