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机译:恢复由高能离子注入工艺和程序引起的氧化场损伤
公开/公告号ITVA980012A1
专利类型
公开/公告日1999-12-06
原文格式PDF
申请/专利权人 STMICROELECTRONICS S.R.L.;
申请/专利号IT1998VA00012
发明设计人 LOSAVIO ALDO;
申请日1998-06-05
分类号H01L21/762;
国家 IT
入库时间 2022-08-22 01:54:02
机译: 高能量和制造工艺中离子注入引起的氧化场损伤的恢复
机译: 恢复由高能离子注入过程引起的场氧化物损伤
机译: 一种用于减少由压力波引起的气泡形成的代理商以及一种用于实现上述方法的减小压力波产生装置的减少高能压力波传播领域中的表面损伤和缺陷的方法