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Two-mode InGaSb/GaSb strained-layer superlattice infrared photodetector

机译:两模InGaSb / GaSb应变层超晶格红外光电探测器

摘要

A InGaSb/GaSb strained-layer superlattices infrared photodetector in which the light-hole and heavy-hole are dispersed by the stress of the lattice mismatch, making the confined energy of the light hole and that of the heavy hole different. The wave function coupling of 1C-1HH is larger at near zero bias, thus the 1C-1HH is dominant. The wave function coupling of 1C-1LH is increased as reverse bias increases. When the reverse bias is high enough, the 1C-1HH transition becomes dominant. Because the transition energy of 1C-1HH and that of 1C-1LH are different, the modes of photodetector can be modulated by applying voltage.
机译:一种InGaSb / GaSb应变层超晶格红外光电探测器,其中,由于晶格失配的应力而使轻孔和重孔分散,从而使轻孔和重孔的约束能量不同。 1C-1HH的波函数耦合在接近零偏置时更大,因此1C-1HH占主导地位。 1C-1LH的波函数耦合随着反向偏置的增加而增加。当反向偏置足够高时,1C-1HH跃迁将占主导地位。由于1C-1HH和1C-1LH的跃迁能量不同,因此可以通过施加电压来调制光电探测器的模式。

著录项

  • 公开/公告号US6037604A

    专利类型

  • 公开/公告日2000-03-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NATIONAL SCIENCE COUNCIL;

    申请/专利号US19940298343

  • 发明设计人 YAN-KUIN SU;SHI-MING CHEN;

    申请日1994-08-30

  • 分类号H01L29/06;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:37:35

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