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Method of determining a time to clean a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) system

机译:确定清洁低压化学气相沉积(LPCVD)系统时间的方法

摘要

A method for accurately determining a time to clean a LPCVD system is disclosed, in which gas flow readings of the gas supplying source from a mass flow meter (MFM) are recorded during the depositing process. The gas flow volume of the gas supplying source read from the MFM decreases as the congestion in the vacuum route of the LPCVD system increases. Based on the established relationship, an accurate time for cleaning the LPCVD system can be determined, so as to avoid product defects due to an excessive deposition.
机译:公开了一种用于精确地确定清洁LPCVD系统的时间的方法,其中在沉积过程中记录来自质量流量计(MFM)的气体供应源的气体流量读数。随着LPCVD系统的真空路径中的拥塞增加,从MFM读取的气体供应源的气体流量减小。基于所建立的关系,可以确定用于清洁LPCVD系统的准确时间,从而避免由于过度沉积而导致的产品缺陷。

著录项

  • 公开/公告号US6099902A

    专利类型

  • 公开/公告日2000-08-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 UNITED SILICON INCORPORATED;

    申请/专利号US19980186530

  • 发明设计人 TANG YU;JUMN-MIN FAM;EDDIE CHEN;

    申请日1998-11-05

  • 分类号C23C16/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:36:30

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