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Circuit and method for improving short-circuit capability of IGBTs

机译:用于提高IGBT的短路能力的电路和方法

摘要

A simple, off-chip circuit and method for endowing high efficiency IGBTs with short-circuit capability, that is essentially transparent to the user. The invention involves adding an external common emitter resistor to reduce the effective gain of an IGBT under short circuit. Under normal operating conditions, the voltage across the resistor is small, such that the modifying effect on the normal operating gate- emitter voltage is almost negligible.
机译:一种简单的片外电路和方法,用于赋予具有短路功能的高效IGBT,这对用户基本上是透明的。本发明涉及添加外部公共发射极电阻器以减小短路下的IGBT的有效增益。在正常工作条件下,电阻两端的电压很小,因此对正常工作的栅极-发射极电压的影响几乎可以忽略不计。

著录项

  • 公开/公告号US6104149A

    专利类型

  • 公开/公告日2000-08-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTERNATIONAL RECTIFIER CORP.;

    申请/专利号US19970807781

  • 发明设计人 BRIAN R. PELLY;

    申请日1997-02-28

  • 分类号H02K23/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:36:25

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