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Tunnel junction structure with junction layer embedded in amorphous ferromagnetic layers

机译:具有嵌入非晶铁磁层中的结层的隧道结结构

摘要

A tunnel junction sensor of a read head with a tunnel junction barrier layer embedded in amorphous ferromagnetic layers. The tunnel junction sensor includes an antiferromagnetic pinning layer, a crystalline pinned layer, an amorphous pinned layer, a tunnel junction barrier layer, an amorphous free layer and a crystalline free layer. The antiferromagnetic pinning layer is exchange coupled to the pinned layers so as to pin a magnetic moment in each of the pinned layers in a first direction. The free layers each have a magnetic moment oriented in a second direction, preferably perpendicular to the first direction.
机译:读取头的隧道结传感器,其中隧道结势垒层嵌入非晶铁磁层中。隧道结传感器包括反铁磁钉扎层,结晶被钉扎层,非晶被钉扎层,隧道结势垒层,非晶自由层和结晶自由层。将反铁磁钉扎层交换耦合到被钉扎层,以便沿第一方向钉扎每个被钉扎层中的磁矩。每个自由层具有沿第二方向,优选垂直于第一方向定向的磁矩。

著录项

  • 公开/公告号US06181537B2

    专利类型

  • 公开/公告日2001-01-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号US09280300

  • 发明设计人 HARDAYAL SINGH GILL;

    申请日1999-03-29

  • 分类号G11B53/90;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:07:31

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