一种控制反铁磁层及钉扎层磁畴结构在磁性隧道结中实现多态数据存储的方法

摘要

本发明涉及一种控制反铁磁层及钉扎层磁畴结构在磁性隧道结中实现多态数据存储的方法，包括：(1)在较高温度条件下，零磁场或者对磁性隧道结施加与诱导场同方向的饱和磁场；(2)退火1h；(3)在稍低温度下继续退火，对磁性隧道施加与诱导场反方向的磁场；(4)通过逐渐增加退火磁场的方式，将反铁磁层及与反铁磁层耦合的钉扎层写入到不同的磁状态；(5)读出不同的磁状态。本发明具有热稳定性高、对外界磁场不敏感、存储密度高的优点，预期在低功耗磁电子存储器件方面有广阔的应用前景。