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Yield of dies by adding dummy pattern on open area of multi-project mask

机译:通过在多项目掩膜的开口区域上添加虚拟图案来增加模具的产量

摘要

A method of improving yields of dies by adding dummy pattern on open area of multi-project mask is disclosed. Pattern of multi-project mask comprises a main pattern corresponding to a configuration of patterns of different dies and numerous dummy patterns that occupy, even substantially entirely, open area of multi-project mask, where dummy pattern and main pattern are separated by scribing lines. After patterns of multi-project mask are transformed to semiconductor wafer, dies and dummy dies are formed. Obviously, when the semiconductor wafer is treated by some processes such as chemical mechanical polishing and etching, because dies are close to dummy dies then boundaries of dies are protected and then these is no damage on edge of each die.
机译:公开了一种通过在多项目掩模的开口区域上添加虚设图案来提高管芯良率的方法。多项目掩模的图案包括与不同管芯的图案的配置相对应的主图案和大量甚至几乎完全占据多项目掩模的开口区域的虚设图案,其中虚设图案和主图案通过划线分开。在将多项目掩模的图案转换成半导体晶片之后,形成管芯和虚设管芯。显然,当通过诸如化学机械抛光和蚀刻之类的某些工艺来处理半导体晶片时,由于管芯靠近虚设管芯,因此保护了管芯的边界,因此这些对每个管芯的边缘都没有损坏。

著录项

  • 公开/公告号US2001033975A1

    专利类型

  • 公开/公告日2001-10-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CHUNG WEN-JYE;KUO HSUEH-LING;

    申请/专利号US20010813935

  • 发明设计人 HSUEH-LING KUO;WEN-JYE CHUNG;

    申请日2001-03-22

  • 分类号G03F9/00;G03C5/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:06:52

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