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Method of producing air gap for reducing intralayer capacitance in metal layers in damascene metalization process and product resulting therefrom

机译:在镶嵌金属化工艺中产生气隙以减小金属层内层电容的方法及其产品

摘要

A method of reducing intralevel capacitance in a damascene metalization process employs entrapped air gaps between metal lines. The method involves forming a metalization pattern using a damascene process which includes forming at least first and second metal regions separated by a dielectric region, forming an air gap at least partially within the dielectric region, and sealing the air gap to entrap the air gap between the first and second metal regions thereby reducing intralevel capacitance between the first and second metal regions.
机译:在镶嵌金属化工艺中减小内部电容的方法是利用金属线之间的气隙。该方法包括使用镶嵌工艺形成金属化图案,该工艺包括:形成至少一个由介电区分开的第一和第二金属区;在该介电区内至少部分地形成气隙;以及密封该气隙以将气隙夹在之间。第一金属区域和第二金属区域因此减小了第一金属区域和第二金属区域之间的层内电容。

著录项

  • 公开/公告号US6268277B1

    专利类型

  • 公开/公告日2001-07-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ADVANCED MICRO DEVICES INC.;

    申请/专利号US19990356029

  • 发明设计人 DAVID BANG;

    申请日1999-07-16

  • 分类号H01L214/763;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:03:43

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