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Temperature ramp for vertical diffusion furnace

机译:立式扩散炉的温度上升

摘要

An improved vertical diffusion furnace for semiconductor manufacturing processes is provided. Temperature and flow rate management enables more uniform temperature distribution across the wafer during ramp up and ramp down, thereby preventing wafer warp.
机译:提供了一种用于半导体制造工艺的改进的垂直扩散炉。温度和流量管理可在斜升和斜降期间在整个晶片上实现更均匀的温度分布,从而防止晶片翘曲。

著录项

  • 公开/公告号US6296709B1

    专利类型

  • 公开/公告日2001-10-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ADVANCED MICRO DEVICES INC.;

    申请/专利号US20000511796

  • 发明设计人 ZORAN KRIVOKAPIC;

    申请日2000-02-23

  • 分类号C23C160/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:03:13

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