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Microstructure devices, methods of forming a microstructure device and a method of forming a MEMS device

机译:微结构器件,形成微结构器件的方法和形成MEMS器件的方法

摘要

Microstructure devices, methods of forming a microstructure device and a method of forming a MEMS device are described. According to one aspect, a microstructure device includes: a semiconductive substrate; a monolithic microstructure device feature coupled with the semiconductive substrate, and wherein at least a portion of the microstructure device feature is configured to move relative to the semiconductive substrate; and a conductive structure provided directly upon the microstructure device feature.
机译:描述了微结构器件,形成微结构器件的方法和形成MEMS器件的方法。根据一个方面,一种微结构器件包括:半导体衬底;以及半导体器件。单片微结构器件特征与半导体衬底耦合,并且其中微结构器件特征的至少一部分被配置为相对于半导体衬底移动;以及直接设置在微结构器件特征上的导电结构。

著录项

  • 公开/公告号US2002163051A1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-11-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 APPLIED MATERIALS INC.;

    申请/专利号US20010850951

  • 发明设计人 JEFFREY D. CHINN;VIDYUT GOPAL;

    申请日2001-05-07

  • 分类号H01L21/00;H01L27/14;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:50:55

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