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/ 2 Two-step hybrid surface treatment and modification for the formation of high quality ohmic contacts of optoelectronic amp;electronic devices

机译:/ 2两步混合表面处理和修饰,用于形成光电电子设备的高质量欧姆接触

摘要

The invention according to fabricate various types of optoelectronic devices and electronic devices, for forming an improved ohmic contact (Ohmic Contact) 2 phase hybrid surface reforming; relates to (TSHTM Two-Step Hybrid Surface Treatment & Modification), the invention According, there by performing a surface modification according to the respective chemical solution or gas plasma just before mesa etching and the metal thin film formed on the electrical, thermal and structural properties can form a good ohmic contact.
机译:根据本发明,制造各种类型的光电子器件和电子器件,用于形成改进的欧姆接触(Ohmic Contact)2相混合表面重整;本发明涉及(TSHTM两步混合表面处理和修饰),通过在台面蚀刻之前根据相应的化学溶液或气体等离子体以及在电,热和结构上形成的金属薄膜进行表面修饰来进行。特性可以形成良好的欧姆接触。

著录项

  • 公开/公告号KR100329280B1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-03-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NULL NULL;

    申请/专利号KR19990017111

  • 发明设计人 장자순;성태연;박성주;

    申请日1999-05-13

  • 分类号H01L21/30;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 00:29:53

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