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METHOD FOR PRODUCING LANGASITE SINGLE CRYSTAL AND LANGASITE SINGLE CRYSTAL

机译:制备硅藻土单晶和硅藻土单晶的方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a method for producing a langasite single crystal and a good langasite single crystal free from secondary phases or twin crystals.;SOLUTION: The method for producing the langasite single crystal comprises pulling and growing a single crystal ingot of La3Ga5SiO14 from a melt L obtained by melting La2O3, Ga2O3, and SiO2 in a crucible 1 made of iridium. The concentration of iridium in the single crystal ingot is adjusted to be ≤10 ppm.;COPYRIGHT: (C)2004,JPO
机译:要解决的问题:获得一种生产无第二相或双晶的浮渣单晶和优质浮渣单晶的方法;解决方案:浮渣单晶的制备方法包括拉丝和生长镧单晶锭从通过熔化La 2 O 3 3 Ga 5 SiO 14 >,由铱制成的坩埚1中的Ga, 2 O 3 和SiO 2 。将单晶锭中的铱浓度调整为10 ppm。;版权所有:(C)2004,日本特许厅

著录项

  • 公开/公告号JP2003313096A

    专利类型

  • 公开/公告日2003-11-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MITSUBISHI MATERIALS CORP;

    申请/专利号JP20020118360

  • 发明设计人 INABA HITOSHI;

    申请日2002-04-19

  • 分类号C30B29/34;C30B15/00;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 00:16:47

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