首页> 外国专利> POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING HEAT SINK FOR MOUNTING ELEMENT

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING HEAT SINK FOR MOUNTING ELEMENT

机译:功率半导体装置及制造散热片的方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power semiconductor device which can easily supply a molten metal to grooves for forming heat sink fins without quenching and which has a structure for hardly generating a bi-metal effect.;SOLUTION: A method for manufacturing a heat sink for mounting an element comprises steps of filling a filling metal 6A in a through hole 5A formed so as to penetrate from one surface to the other surface of a plate-like preform 5, disposing a power semiconductor element 4 on one surface side of the preform 5, and integrally standing heat sink fins 6D with the same metal material as the filling metal 6A at the other surface of the preform 4.;COPYRIGHT: (C)2003,JPO
机译:解决的问题:提供一种功率半导体器件,其可以容易地将熔融金属供应至用于形成散热片的凹槽而无需淬火,并且具有几乎不产生双金属效应的结构。用于安装元件的水槽包括以下步骤:将填充金属6A填充到形成为从板状预成型件5的一个表面穿透到另一表面的通孔5A中,在该通孔5A的一个表面侧上布置功率半导体元件4。预成型坯5,以及与预成型坯4另一面具有与填充金属6A相同的金属材料的直立散热片6D;版权所有:(C)2003,JPO

著录项

  • 公开/公告号JP2003023129A

    专利类型

  • 公开/公告日2003-01-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NISSAN MOTOR CO LTD;

    申请/专利号JP20010209551

  • 发明设计人 HANAMURA AKIHIRO;

    申请日2001-07-10

  • 分类号H01L23/36;B22D19/00;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 00:14:22

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号