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Method and apparatus for optimum biasing of cascaded MOSFET radio-frequency devices

机译:用于级联MOSFET射频器件的最佳偏置的方法和装置

摘要

Generally, the invention relates to a method and apparatus to improve the performance of multi-stage radio frequency linear power amplifiers. More particularly, the present invention discloses a cascaded gain expansion stage and gain compression stage at differing bias levels to produce an amplifier with superior linearity and lower intermodulation distortion and adjacent channel power than any single stage by alone.
机译:总体上,本发明涉及一种用于改善多级射频线性功率放大器的性能的方法和设备。更具体地,本发明公开了一种在不同偏置水平下的级联增益扩展级和增益压缩级,以产生一种放大器,该放大器具有比单独的任何单个级更好的线性度和更低的互调失真以及相邻信道功率。

著录项

  • 公开/公告号US6522197B2

    专利类型

  • 公开/公告日2003-02-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 PARADIGM WIRELESS SYSTEMS INC.;

    申请/专利号US20000746440

  • 发明设计人 KI Y. NAM;THINH DAT DO;

    申请日2000-12-21

  • 分类号H03G90/00;H03G31/00;H03F12/60;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:05:55

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