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Semiconductor integrated circuit having tri-state logic gate circuit

机译:具有三态逻辑门电路的半导体集成电路

摘要

The tri-state logic gate circuit is preferably made up of a first inverter circuit which selectively outputs one of the power supply voltage and a ground potential, a second inverter circuit which selectively outputs one of the first inverter circuit output and the boosted power supply voltage, a resistor connected between the first and second inverter circuits, and a latch circuit. Accordingly, the tri-state logic gate circuit can avoid latch-up. IMAGE
机译:三态逻辑门电路优选地由选择性地输出电源电压和地电位之一的第一反相器电路,选择性地输出第一反相器电路输出和升压的电源电压之一的第二反相器电路组成。 ;电阻,连接在第一和第二反相器电路之间;以及锁存电路。因此,三态逻辑门电路可以避免闩锁。 <图像>

著录项

  • 公开/公告号EP0905904B1

    专利类型

  • 公开/公告日2003-10-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 OKI ELECTRIC IND CO LTD;

    申请/专利号EP19980116237

  • 发明设计人 KAWAGOE MASAKUNI;

    申请日1998-08-27

  • 分类号H03K19/094;H03K19/003;H03K19/0185;G11C5/14;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 23:53:39

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