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high-precision vorspannungsschaltung for a cmos low-noise amplifier kaskodenstufe, especially for

机译:高精度vorspannungsschaltung用于cmos低噪声放大器kaskodenstufe,尤其适用于

摘要

A novel splitting bias technique is proposed by the invention. The problem of biasing a CMOS cascoded final stage is splitted in sub-problems by using sub-circuits. The inventive idea is that of using two transistor replicas (M1b, M2b) of the MOS transistors included in the cascoded stage (2), two current generators I1 and I2 for biasing such transistor replicas and a circuit block (Xb) which reads out the voltage value Vs(M2b) on one terminal a transistor replica (M2b) of and uses such a value to bias the other transistor replica (M1b). Two circuit implementations have been used for the circuit block (Xb): a simple voltage amplifier or a folded cascoded amplifier closed in shunt feedback. Both implementations allows to track the threshold voltages of the cascoded stage transistors, as well as their early and body effects. IMAGE
机译:本发明提出了一种新颖的分裂偏置技术。通过使用子电路将偏置CMOS级联最终级的问题分解为一些子问题。本发明的发明思想是使用级联级(2)中包括的MOS晶体管的两个晶体管复制品(M1b,M2b),两个电流发生器I1和I2以对这样的晶体管复制品进行偏置以及电路块(Xb),该电路块读出在一个晶体管复制品(M2b)的一个端子上的电压值Vs(M2b),并使用该值偏置另一个晶体管复制品(M1b)。电路块(Xb)已使用两种电路实现方式:一个简单的电压放大器或一个在并联反馈中闭合的折叠共源共栅放大器。两种实现方式都可以跟踪级联级晶体管的阈值电压,以及它们的早期效应和人体效应。 <图像>

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