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METHOD FOR EXPOSING TO ELECTRON BEAM, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR PROCESSING EXPOSURE PATTERN DATA, AND PROGRAM

机译:暴露于电子束的方法,半导体器件,暴露图案数据的处理方法和程序

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for exposing to an electron beam which can improve a throughput while a pattern creating function is utilized and to provide a semiconductor device manufactured by using the same, a method for processing exposure pattern data and a program for processing the exposure pattern data.;SOLUTION: The method for exposing to the electron beam includes a step of exposing an integrated circuit pattern having a rectangular pad pattern disposed by cutting a wiring pattern on a substrate to the beam. The method includes a first step of dividing a plurality of rectangular patterns A', B' having an overlap at the position of the pad pattern (c) extending from divided wiring patterns (a), (b) and pad pattern (c) extending from these wiring patterns (a), (b) into a plurality of rectangular patterns having a size of the maximum shot size or less of the beam, and a second step of sequentially multiple exposing the plurality of the rectangular patterns divided in the first step to multiple expose at the position of the pad pattern (c).;COPYRIGHT: (C)2004,JPO
机译:解决的问题:提供一种在利用图案创建功能的同时向电子束曝光的方法,该方法可以提高生产量,并且提供一种通过使用该方法制造的半导体器件,用于处理曝光图案数据的方法和程序。解决方案:用于暴露于电子束的方法包括以下步骤:暴露具有矩形焊盘图案的集成电路图案,该集成电路图案是通过将基板上的布线图案切割到电子束上而设置的。该方法包括第一步,在从分开的布线图案(a),(b)延伸的焊盘图案(c)和延伸的焊盘图案(c)的焊盘图案(c)的位置处具有重叠的多个矩形图案A',B'被分割。从这些布线图案(a),(b)到具有最大射束尺寸或更小光束的尺寸的多个矩形图案,以及第二步骤,依次多次曝光在第一步中分割的多个矩形图案在焊盘图案的位置多次曝光(c)。;版权所有:(C)2004,JPO

著录项

  • 公开/公告号JP2004087715A

    专利类型

  • 公开/公告日2004-03-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SEMICONDUCTOR LEADING EDGE TECHNOLOGIES INC;

    申请/专利号JP20020245671

  • 发明设计人 TO YOICHI;

    申请日2002-08-26

  • 分类号H01L21/027;G03F7/20;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 23:34:00

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