要解决的问题:提供一种电路仿真装置和模型创建方法,该电路仿真设备和模型创建方法能够快速且容易地创建扩散层长度不同的MOS晶体管的模型。解决方案:扩散层相关性参数校正装置4从MOS晶体管的晶体管模型2中创建与扩散层长度相关的参数的近似公式,以及从各种扩散层长晶体管中提取的扩散层长度相关性参数的数据,并且通过使用创建的近似公式,计算要替换为原始参数值的参数的校正值。因此,可以容易地用原始参数的值替换校正值,并且可以创建扩散层长度DL不同的MOS晶体管的晶体管模型。因此,可以在考虑到MOS晶体管的漏极电流的扩散层长度依赖性的情况下实现电路仿真,并且可以实现高精度的仿真。
版权:(C)2004,日本特许厅
公开/公告号JP2004119608A
专利类型
公开/公告日2004-04-15
原文格式PDF
申请/专利权人 NEC ELECTRONICS CORP;
申请/专利号JP20020279398
申请日2002-09-25
分类号H01L21/8234;G06F17/50;H01L21/336;H01L27/088;H01L29/00;H01L29/78;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 23:31:39