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BiCMOS latches with npn control devices for current limiting of npn regeneration devices

机译:具有npn控制装置的BiCMOS锁存器,用于npn再生装置的电流限制

摘要

Latch structures and systems are disclosed that enhance latch speed and provide complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS)-level latch signals. They are realized with bipolar junction structures and CMOS structures that are arranged to enhance regenerative feedback signals and generate CMOS-level latch signals.
机译:公开了锁存器结构和系统,其提高了锁存器速度并提供互补的金属氧化物半导体(CMOS)级锁存器信号。它们通过双极结结构和CMOS结构实现,它们被布置为增强再生反馈信号并生成CMOS级锁存信号。

著录项

  • 公开/公告号US2004027265A1

    专利类型

  • 公开/公告日2004-02-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ANALOG DEVICES INC.;

    申请/专利号US20030456595

  • 发明设计人 CHRISTOPHER MICHALSKI;

    申请日2003-06-06

  • 分类号H03M1/36;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 23:17:49

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