首页> 外国专利> Device parameter and gate performance simulation based on wafer image prediction

Device parameter and gate performance simulation based on wafer image prediction

机译:基于晶圆图像预测的器件参数和栅极性能仿真

摘要

A circuit, gate, or device parameter simulation includes data on the initial conditions of manufacture, including illumination conditions on a stepper, material parameters for processing conditions, and chip layout. Optical effects and processing tolerances may be accounted for in the simulation of the final device performance characteristics. The circuit, gate, or device parameter simulation may incorporate optical proximity code software. Simulated active and passive components are generated by the circuit, gate, or device parameter simulation from the simulated patterned layers on the substrate. Feedback may be provided to the circuit, gate, or device parameter simulation to optimize performance.
机译:电路,浇口或设备参数仿真包括有关制造初始条件的数据,包括步进器上的照明条件,用于加工条件的材料参数以及芯片布局。在最终设备性能特征的仿真中,可能会考虑到光学效果和处理公差。电路,门或设备参数仿真可以包含光学邻近代码软件。通过电路,栅极或设备参数仿真,从基板上的模拟图案化层生成模拟的有源和无源组件。可以将反馈提供给电路,栅极或设备参数仿真以优化性能。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号