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Memory subsystem including memory modules having multiple banks

机译:存储器子系统,包括具有多个存储体的存储器模块

摘要

A memory subsystem including memory modules having multiple banks. A memory subsystem includes a memory controller and a plurality of memory modules. The plurality of memory modules may be coupled to the memory controller by a memory interconnect having a data path including a plurality of data bits. Each of the plurality of memory modules includes a circuit board and a plurality of memory chips mounted to the circuit board. The circuit board includes a connector edge for connection to the memory interconnect. Each of the plurality of memory chips may be configured to store data in a plurality of storage locations. Each of the plurality of memory modules may be coupled to a respective mutually exclusive subset of the plurality of data bits.
机译:一种存储器子系统,包括具有多个存储体的存储器模块。存储器子系统包括存储器控制器和多个存储器模块。多个存储器模块可以通过具有数据路径的存储器互连而耦合到存储器控制器,该数据路径包括包括多个数据位的数据路径。多个存储器模块中的每个包括电路板和安装到电路板上的多个存储器芯片。电路板包括用于连接到存储器互连的连接器边缘。多个存储芯片中的每个可以被配置为将数据存储在多个存储位置中。多个存储模块中的每个可以耦合到多个数据位的各自的互斥子集。

著录项

  • 公开/公告号AU2003296314A8

    专利类型

  • 公开/公告日2004-07-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SUN MICROSYSTEMS INC.;

    申请/专利号AU20030296314

  • 发明设计人 CHUNG-HSIAO R. WU;DREW G. DOBLAR;

    申请日2003-12-09

  • 分类号G06F13/16;

  • 国家 AU

  • 入库时间 2022-08-21 23:01:38

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