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机译:化学-机械平坦化半导体晶片的阻挡层的方法
公开/公告号DE69720212T2
专利类型
公开/公告日2003-12-18
原文格式PDF
申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;
申请/专利号DE1997620212T
发明设计人 ROBINSON M.;WALKER A.;
申请日1997-05-21
分类号B24B37/04;H01L21/3105;
国家 DE
入库时间 2022-08-21 22:40:54
机译: 在化学机械平面化过程中减少或消除半导体晶片薄膜层脱层的方法
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机译: 低摩擦抛光停止层,用于终结半导体晶圆的化学机械平面化处理