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【2h】

On the Wafer/Pad Friction of Chemical–Mechanical Planarization (CMP) Processes—Part I: Modeling and Analysis

机译：关于化学机械平坦化（Cmp）工艺的晶片/焊盘摩擦 - 第一部分：建模和分析

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J. Yi;
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年度 2005
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1. On the Wafer/Pad Friction of Chemical-Mechanical Planarization (CMP) Processes - Part I: Modeling and Analysis [J] . Jingang Yi IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing . 2005,第3期

机译：关于化学机械平面化（CMP）工艺的晶圆/垫摩擦-第一部分：建模和分析
2. On the Wafer/Pad Friction of Chemical-Mechanical Planarization (CMP) Processes - Part II: Experiments and Applications [J] . Jingang Yi IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing . 2005,第3期

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3. Diamond disc pad conditioning in chemical mechanical planarization (CMP): A surface element method to predict pad surface shape [J] . Z.C. Li, Emmanuel A. Baisie, X.H. Zhang Precision Engineering . 2012,第2期

机译：化学机械平坦化（CMP）中的金刚石盘垫修整：一种预测垫板表面形状的表面元素方法
4. On the wafer/pad friction of linear chemical-mechanical planarization (CMP): modeling, analysis and experiments [C] . Jingang Yi . 2004

机译：关于线性化学机械平面化（CMP）的晶片/焊盘摩擦：建模，分析和实验
5. Integrated modeling of chemical mechanical planarization/polishing (CMP) for integrated circuit fabrication: From particle scale to die and wafer scales. [D] . Luo, Jianfeng. 2003

机译：用于集成电路制造的化学机械平面化/抛光（CMP）的集成模型：从微粒级到芯片级和晶圆级。
6. Effect of Conditioner Type and Downforce and Pad Surface Micro-Texture on SiO2 Chemical Mechanical Planarization Performance [O] . Jeffrey McAllister, Calliandra Stuffle, Yasa Sampurno, 2019

机译：调节剂类型和下压力以及垫表面的微观结构对SiO2化学机械平面化性能的影响
7. Direct Measurement Of Planarization Length For Copper Chemical Mechanical Planarization Polishing (cmp) Processes Using A Large Pattern Test Mask [O] . Paul Lefevre Albert, Albert Gonzales, Tom Brown, 2007

机译：使用大型图案测试掩模直接测量铜化学机械平面抛光（cmp）工艺的平面长度

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