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Ozone post-deposition treatment to remove carbon in a flowable oxide film

机译:臭氧沉积后处理以去除可流动的氧化膜中的碳

摘要

A method of removing residual carbon deposits from a flowable, insulative material. The flowable, insulative material comprises silicon, carbon, and hydrogen and is a flowable oxide material or a spin-on, flowable oxide material. The residual carbon deposits are removed from the flowable, insulative material by exposing the material to ozone. The flowable, insulative material is used to form an insulative layer in a trench located on a semiconductor substrate.
机译:一种从可流动的绝缘材料中去除残留碳沉积物的方法。可流动的绝缘材料包括硅,碳和氢,并且是可流动的氧化物材料或旋涂可流动的氧化物材料。通过将可流动的绝缘材料暴露于臭氧中,可以去除残留的碳沉积物。该可流动的绝缘材料用于在位于半导体衬底上的沟槽中形成绝缘层。

著录项

  • 公开/公告号US2004224510A1

    专利类型

  • 公开/公告日2004-11-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SANDHU GURTEJ S.;LI LI;

    申请/专利号US20030435569

  • 发明设计人 GURTEJ S. SANDHU;LI LI;

    申请日2003-05-08

  • 分类号H01L21/302;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 22:25:40

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