首页> 外国专利> Method for transforming an amorphous silicon layer into a polysilicon layer

Method for transforming an amorphous silicon layer into a polysilicon layer

机译:将非晶硅层转变成多晶硅层的方法

摘要

A method for transforming an amorphous silicon layer into a polysilicon layer is disclosed. The method includes following steps: providing an amorphous silicon substrate, doping the amorphous silicon substrate with an inert gas atom, and increasing the temperature of the surface of the amorphous silicon substrate by heat treatment or thermal process.
机译:公开了一种用于将非晶硅层转变为多晶硅层的方法。该方法包括以下步骤:提供非晶硅衬底,用惰性气体原子掺杂非晶硅衬底,以及通过热处理或热处理增加非晶硅衬底表面的温度。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号