首页> 外国专利> METHOD OF FORMING STORAGE NODE CONTACT OF SEMICONDUCTOR DEVICE TO PREVENT FAIL OF STORAGE NODE CONTACT BY USING MIXED GAS OF C4F8 OR C5F8 ETCHING GAS AND XE/AT/O2 GAS

METHOD OF FORMING STORAGE NODE CONTACT OF SEMICONDUCTOR DEVICE TO PREVENT FAIL OF STORAGE NODE CONTACT BY USING MIXED GAS OF C4F8 OR C5F8 ETCHING GAS AND XE/AT/O2 GAS

机译：通过使用C4F8或C5F8混合气体和XE / AT / O2混合气体形成半导体设备的存储节点接触以防止存储节点接触失败的方法

页面导航

著录项
相似文献

摘要

机译：

著录项

公开/公告号KR20050005974A

专利类型
公开/公告日2005-01-15

原文格式PDF
申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;
展开▼

申请/专利号KR20030045972
发明设计人 PARK SANG SOO;CHO SUNG YOON;
展开▼

申请日2003-07-08
分类号H01L21/28;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 22:06:00

相似文献

专利
外文文献
中文文献