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机译:用于减少中心区域和边缘区域之间的蚀刻解决方案的时差的湿式蚀刻设备
公开/公告号KR20050015448A
专利类型
公开/公告日2005-02-21
原文格式PDF
申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;
申请/专利号KR20030054265
发明设计人 CHO HONG JE;KANG SUNG CHUL;NAM HYO RAK;KIM JIN SU;
申请日2003-08-06
分类号H01L21/3063;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 22:05:50
机译: 在防止或减少活动区域和/或隔离区域的损失的同时,通过执行湿酸腐蚀过程来形成半导体器件的方法
机译: 通过执行湿酸蚀刻工艺同时防止或减少有源区和/或隔离区的损失来形成半导体器件的方法
机译: 用于蚀刻晶片的等离子体蚀刻装置,能够消除在晶片边缘区域形成的薄膜或颗粒