用于减少晶片表面缺陷的湿式蚀刻方法及其装置

摘要

本发明提供一种用于减少晶片表面缺陷的湿式蚀刻方法及其装置，在半导体制造工艺中的磷酸湿式制程后续的清洗过程中，容易出现因气泡附着于晶片表面而导致晶片表面气泡附着之处出现新月形缺陷的问题，最终影响产品良率。本发明的方法和装置针对上述问题而提出，可以使湿式制程中气泡附着于晶片表面的几率大为降低，几乎完全避免上述的缺陷问题。