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Circuit for refreshing memory cells in a dynamic memory has a refresh control circuit, a memory circuit, a setting circuit and a reset circuit

机译:用于刷新动态存储器中的存储单元的电路具有刷新控制电路,存储电路,设置电路和复位电路

摘要

A refresh control circuit (3,4,7) triggers a memory cell field (1) to access memory cells (MC) in a dynamic memory for a refreshing routine. A first selector circuit (4) selects one of the MC. A memory circuit (2) stores register bits (2-1 to 2-n), each assigned to an MC. A setting circuit (6) sets each assigned register bit during access to each MC. A reset circuit (5) resets each register bit. An independent claim is also included for a method for refreshing memory cells in a dynamic memory.
机译:刷新控制电路(3、4、7)触发存储单元字段(1),以访问动态存储器中的存储单元(MC)进行刷新例程。第一选择器电路(4)选择MC之一。存储器电路(2)存储分别分配给MC的寄存器位(2-1至2-n)。设置电路(6)在访问每个MC期间设置每个分配的寄存器位。复位电路(5)复位每个寄存器位。还包括一种用于刷新动态存储器中的存储单元的方法的独立权利要求。

著录项

  • 公开/公告号DE10329370B3

    专利类型

  • 公开/公告日2005-01-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;

    申请/专利号DE2003129370

  • 发明设计人 PERNER MARTIN;

    申请日2003-06-30

  • 分类号G11C11/406;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 22:01:23

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