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Preparation of high-quality silicon, useful e.g. as solar or semiconductor silicon, by high-temperature reaction of lime, carbon and silicate, then purification and thermal decomposition of the calcium silicide formed

机译:制备高质量的硅,例如作为太阳能或半导体硅,通过石灰,碳和硅酸盐的高温反应,然后纯化和热分解形成的硅化钙

摘要

Method for preparing high-purity silicon by the calcium silicide method, at high temperature. The new feature is that reaction of calcium oxide (or calcium carbonate) with carbon and silica is done discontinuously in a furnace at reaction melt temperature of 2500-3500 deg. C.
机译:通过硅化钙方法在高温下制备高纯度硅的方法。新特征是氧化钙(或碳酸钙)与碳和二氧化硅的反应是在炉中在2500-3500度的反应熔体温度下不连续进行的。 C。

著录项

  • 公开/公告号DE10358452B4

    专利类型

  • 公开/公告日2005-09-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FIOLITAKIS EMMANUEL;

    申请/专利号DE20031058452

  • 发明设计人 FIOLITAKIS EMMANUEL;

    申请日2003-12-13

  • 分类号C01B33/02;C01B33/06;C01B33/107;C01B33/025;C01B33/037;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 22:01:04

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