首页> 外国专利> Process for producing an etching mask on a microstructure, in particular a semiconductor structure with trench capacitors, and corresponding use of the etching mask

Process for producing an etching mask on a microstructure, in particular a semiconductor structure with trench capacitors, and corresponding use of the etching mask

机译:在微结构上,特别是在具有沟槽电容器的半导体结构上制造蚀刻掩模的方法以及蚀刻掩模的相应用途

摘要

Process for producing an etching mask on a microstructure, in particular a semiconductor structure with trench capacitors, and corresponding uses of the etching mask which allow for extremely thin photoresist layers to be employed.
机译:在微结构上,特别是在具有沟槽电容器的半导体结构上制造蚀刻掩模的方法,以及蚀刻掩模的相应用途,其允许使用非常薄的光刻胶层。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号