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GROWTH OF PLANAR, NON-POLAR A-PLANE GALLIUM NITRIDE BY HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY

机译：氢化物气相相表观生长平面非极性α-平面氮化镓

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摘要

Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar a-plane gallium nitride (GaN) films by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) results in significantly reduced defect density.

机译：氢化物气相外延（HVPE）导致的非极性a面氮化镓（GaN）薄膜的横向外延过度生长（LEO）导致缺陷密度显着降低。

著录项

公开/公告号EP1576671A4

专利类型
公开/公告日2006-10-25

原文格式PDF
申请/专利权人 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA;JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY;
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申请/专利号EP20030814571
发明设计人 CRAVEN MICHAEL D.;SPECK JAMES S.;HASKELL BENJAMIN A.;FINI PAUL T.;MATSUDA SHIGEMASA;DENBAARS STEVEN P.;NAKAMURA SHUJI;
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申请日2003-07-15
分类号H01L21/205;C30B25/02;H01L21/20;
国家 EP
入库时间 2022-08-21 21:29:41

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