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Device of Annealing Laser Beam and Method for Sequential Lateral Solidification Silicon Using the same

机译:退火激光束的装置及使用该装置的顺序横向凝固硅的方法

摘要

PURPOSE: A laser irradiating apparatus and a silicon crystallization method using the laser irradiating apparatus are provided to perform crystallization in X and Y directions without a stage rotation. CONSTITUTION: A laser irradiating apparatus includes a mask(100) comprising the first region(X) in which transmission parts(D) are formed in X direction and the second region(Y) in which transmission parts(E) are formed in Y direction. The laser irradiating apparatus further includes a light-shielding pattern selectively masking the first and second regions of the mask. One of the first and second regions of the mask is selectively masked by the light-shielding pattern according to a substrate movement state and the other region is opened such that a laser beam transmits the opened region.
机译:目的:提供一种激光辐照设备和使用该激光辐照设备的硅结晶方法,以在没有平台旋转的情况下在X和Y方向上进行结晶。构成:一种激光辐照设备,其包括一个掩模(100),该掩模包括在X方向上形成透射部分(D)的第一区域(X)和在Y方向上形成透射部分(E)的第二区域(Y) 。激光照射装置还包括选择性地掩蔽掩模的第一区域和第二区域的遮光图案。掩模的第一区域和第二区域中的一个区域根据基板的移动状态被遮光图案选择性地遮蔽,并且另一个区域被打开,使得激光束透射该打开的区域。

著录项

  • 公开/公告号KR100546711B1

    专利类型

  • 公开/公告日2006-01-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20030056930

  • 发明设计人 정윤호;

    申请日2003-08-18

  • 分类号G02F1/13;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 21:24:24

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