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FABRICATION OF SELF-ALIGNED REFLECTIVE/PROTECTIVE OVERLAYS ON MAGNETORESISTANCE SENSORS, AND THE SENSORS

机译:磁阻传感器和传感器上自对准的反射/保护覆盖层的制造

摘要

in accordance with the present invention, the magnetoresistive (MR) sensor is deposited on the lower layer structure, the free layer screen ( free layer) of a structure , and is produced by using a sensor , and depositing the oxide structure for covering the free layer. Deposition of the metal oxide structure is a buffer layer during the deposition and the step of depositing a buffer layer covering the free layer , the buffer layer and contacting the coated coating layer , and depositing a metal oxide coating layer of the coating layer of metal oxide, the buffer layer and a step of forming a buffer layer metallic oxide .
机译:根据本发明,磁阻(MR)传感器沉积在下层结构,结构的自由层屏蔽(自由层)上,并通过使用传感器制造,并沉积氧化物结构以覆盖自由层。层。金属氧化物结构的沉积是在沉积和沉积覆盖自由层的缓冲层,缓冲层并与涂覆的涂层接触的步骤以及沉积金属氧化物涂层的金属氧化物涂层的步骤中的缓冲层。 ,缓冲层和形成缓冲层的金属氧化物的步骤。

著录项

  • 公开/公告号KR100611086B1

    专利类型

  • 公开/公告日2006-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20030086748

  • 申请日2003-12-02

  • 分类号G11B5/39;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 21:23:12

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