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METHOD FOR DEPOSITING ?-NPB THIN LAYER WITH ALD

机译:用ALD沉积β-NPB薄层的方法

摘要

The present invention relates to a method for producing α-NPB thin film using the atomic layer deposition method.;The present invention is a method for producing a thin film using the atomic layer deposition method,;1) placing a substrate inside the reaction chamber and maintaining the substrate at a specific reaction temperature;;2) feeding an arylamine raw material into the reaction chamber and reacting; And;3) supplying the aryl halide raw material and the reaction gas for reacting the aryl halide raw material with the arylamine raw material together and reacting the inside of the reaction chamber; α-NTB thin film manufacturing method comprising a To provide.;Organic EL, α-NPB, hole transport material
机译:本发明涉及一种使用原子层沉积法制备α-NPB薄膜的方法。本发明是一种使用原子层沉积法制备薄膜的方法; 1)将基板放置在反应室内并保持基板在特定的反应温度; 2)将芳基胺原料加入反应室中进行反应。 3)提供芳基卤化物原料和使芳基卤化物原料与芳基胺原料反应的反应气体,并使反应室内进行反应。 α-NTB薄膜的制造方法,包括:提供有机EL,α-NPB,空穴传输材料

著录项

  • 公开/公告号KR100629477B1

    专利类型

  • 公开/公告日2006-09-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20050003302

  • 发明设计人 김현창;장혁규;

    申请日2005-01-13

  • 分类号H01L21/205;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 21:22:52

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