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method for producing a performance -enhanced multi-gate transistor and manufactured by a multi-gate transistor

机译:增强性能的多栅晶体管的制造方法,以及由多栅晶体管制造的方法

摘要

method can improve the performance of multi- gate transistor is provided. After preparation of the multi-gate transistor is the formation of the active pattern comprises a multi-channel region to be formed on the second surface over the channel , to form a local region and the connection wires to other multi-channel active regions of the active pattern of the multi-gate transistor to complete the structure . The multi-gate made by the method of the present invention also provides a transistor .
机译:该方法可以提高多栅极晶体管的性能。在准备好多栅晶体管之后,形成有源图案,该有源图案包括要在沟道上方的第二表面上形成的多沟道区域,以形成局部区域和到该晶体管的其他多沟道有源区域的连接线。有源图形的多栅极晶体管完成了结构。通过本发明的方法制成的多栅极还提供了晶体管。

著录项

  • 公开/公告号KR100632475B1

    专利类型

  • 公开/公告日2006-10-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20040058257

  • 发明设计人 진유승;마에다시게노부;

    申请日2004-07-26

  • 分类号H01L29/78;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 21:22:50

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