解决方案:场效应晶体管包括:由半导体材料制成的衬底;在衬底中彼此分开形成并掺杂成与衬底不同的导电类型的源区和漏区。沟道区设置在源极区和漏极区之间;绝缘层设置在沟道区上并且由电绝缘材料组成;栅电极分别设置在绝缘层上。在场效应晶体管中,用于检测具有硫醇基的分析物的场效应晶体管,还具有位于绝缘层上的金层,具有场效应晶体管的微流体装置,以及用于检测含有硫醇基的分析物的方法通过利用场效应晶体管和微流控器件组成。
版权:(C)2008,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2007279049A
专利类型
公开/公告日2007-10-25
原文格式PDF
申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD;
申请/专利号JP20070103000
申请日2007-04-10
分类号G01N27/414;H01L29/78;G01N27/28;G01N37;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:15:46