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ACID-FREE WASHING PROCESS FOR SUBSTRATE, PARTICULARLY MASK AND MASK BLANK

机译:适用于基质,特别是面膜和面膜空白的无酸洗涤过程

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a process useful for mask blank washing, which can avoid the use of an acid, particularly sulfuric acid, and utilizes a nonionic washing agent suitable for this process.;SOLUTION: This process for substrate washing comprises the followings steps: (a) UV-treatment step, (b) full jet washing step, (c) megasonic washing step, (d) DI water rinse step, and, if necessary, substrate drying step.;COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
机译:解决的问题:提供一种可用于掩模坯料清洗的方法,该方法可避免使用酸,尤其是硫酸,并使用适合该工艺的非离子清洗剂。步骤:(a)紫外线处理步骤,(b)完全喷射洗涤步骤,(c)超声波清洗步骤,(d)去离子水冲洗步骤,以及(如有必要)基底干燥步骤。;版权所有:(C)2007,日本特许厅

著录项

  • 公开/公告号JP2007118002A

    专利类型

  • 公开/公告日2007-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SCHOTT AG;

    申请/专利号JP20060288271

  • 发明设计人 OMOREGIE HENRYSON O;HARALD KOSTER;

    申请日2006-10-24

  • 分类号B08B3/02;B08B3/12;G03F1/08;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 21:14:58

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