要解决的问题:提供优异的远紫外发光特性的高纯度六方氮化硼单晶(hBN),该六方氮化硼单晶是通过在高纯度溶剂存在下在高温和高压下处理而制备的并且解决了常规晶体的弱点,例如对机械振动和刺激的弱点,单晶形式的保持性差,发光性能的显着变化以及与预设波长的显着偏差。
解决方案:将通过上述溶剂精制方法获得的单晶研磨成粉末,并施加到发光表面上。从而,克服了传统单晶的弱点,例如振动弱和晶形的保留性差,使得远紫外发光器件晶体粉末没有发光性能的变化和可以制备表现出稳定的发光性能的材料。
版权:(C)2007,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2007009095A
专利类型
公开/公告日2007-01-18
原文格式PDF
申请/专利号JP20050193358
申请日2005-07-01
分类号C09K11/63;C09K11;C09K11/08;G01T1/20;G01T1/202;G01T3/06;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:14:20