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Photomask plasma etching apparatus, etching method, and photomask forming method

机译:光掩模等离子体蚀刻设备,蚀刻方法和光掩模形成方法

摘要

A photomask plasma etching apparatus includes an electrode to generate plasma, and an electrical capacity control unit configured to control an electrical capacity between the electrode and a mask substrate to be held on the electrode.
机译:光掩模等离子体蚀刻设备包括:电极,用于产生等离子体;以及电容控制单元,被配置为控制电极与要保持在电极上的掩模基板之间的电容。

著录项

  • 公开/公告号US2006292727A1

    专利类型

  • 公开/公告日2006-12-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TAKEHARU MOTOKAWA;JUNICHI TONOTANI;

    申请/专利号US20060441216

  • 发明设计人 JUNICHI TONOTANI;TAKEHARU MOTOKAWA;

    申请日2006-05-26

  • 分类号H01L21/00;H01L21/306;H01L21/302;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 21:03:12

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