首页> 外国专利> Processes for treating morphologically-modified silicon electrode surfaces using gas-phase interhalogens

Processes for treating morphologically-modified silicon electrode surfaces using gas-phase interhalogens

机译:使用气相卤素间化合物处理形态改性的硅电极表面的方法

摘要

Processes for treating a morphologically-modified surface of a silicon upper electrode of a plasma processing chamber include exposing the surface to a gas composition containing at least one gas-phase halogen fluoride. The gas composition is effective to remove silicon from the morphologically-modified surface and restore the surface state.
机译:处理等离子体处理室的硅上部电极的形态改性的表面的方法包括将该表面暴露于包含至少一种气相卤化氟化物的气体组合物中。该气体组合物可有效地从形态改性的表面除去硅并恢复表面状态。

著录项

  • 公开/公告号US7192875B1

    专利类型

  • 公开/公告日2007-03-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JOEL M. COOK;

    申请/专利号US20040975947

  • 发明设计人 JOEL M. COOK;

    申请日2004-10-29

  • 分类号H01L21/302;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 21:01:27

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号